快速退火炉供应

简要描述：快速退火炉供应
是利用卤素红外灯做为热源，通过极快的升温速率，从而消除晶圆或者材料内部的一些缺陷，改善产品性能。主要由真空腔室、加热室、进气系统、真空系统、温度控制系统、气冷系统、水冷系统等几部分组成

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厂商性质：经销商
更新时间：2022-01-13
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快速退火炉由哪些部分组成？

详细介绍

快速退火炉供应

是利用卤素红外灯做为热源，通过极快的升温速率，将晶圆或者材料快速的加热到300℃-1200℃，从而消除晶圆或者材料内部的一些缺陷，改善产品性能。采用先进的微电脑控制系统，采用PID闭环控制温度，可以达到*的控温精度和温度均匀性，并且可配置真空腔体，也可根据用户工艺需求配置多路气体。

设备说明：

快速退火炉主要由真空腔室、加热室、进气系统、真空系统、温度控制系统、气冷系统、水冷系统等几部分组成。

真空腔室：真空腔室是快速退火炉的工作空间，晶圆在这里进行快速热处理。

加热室：加热室以多个红外灯管为加热元件，以耐高温合金为框架、高纯石英为主体。

进气系统：真空腔室尾部有进气孔，精确控制的进气量用来满足一些特殊工艺的气体需求。

真空系统：在真空泵和真空腔室之间装有高真空电磁阀，可以有效确保腔室真空度，同时避免气体倒灌污染腔室内的被处理工件。

温度控制系统：温度控制系统由温度传感器、温度控制器、电力调整器、可编程控制器、PC及各种传感器等组成。

气冷系统：真空腔室的冷却是通过进气系统向腔室内充入惰性气体，来加速冷却被热处理的工件，满足工艺使用要求。

水冷系统：水冷系统主要包括真空腔室、加热室、各部位密封圈的冷却用水。

快速退火炉供应

是在半导体器件制造中使用的一种工艺，其包括加热多个半导体晶片以影响其电性能。热处理是针对不同的效果而设计的。可以加热晶片以激活掺杂剂，将薄膜转换成薄膜或将薄膜转换成晶片衬底界面，使致密沉积的薄膜，改变生长的薄膜的状态，修复注入的损伤，移动掺杂剂或将掺杂剂从一个薄膜转移到另一个薄膜或从薄膜进入晶圆衬底。

退火炉可以集成到其他炉子处理步骤中，例如氧化，或者可以自己处理。退火炉是由专门为加热半导体晶片而设计的设备完成的。退火炉是节能型周期式作业炉，超节能结构，采用纤维结构，节电60%。

退火炉按热源分类主要有电热炉、燃煤退火炉、燃油退火炉、天然气退火炉、煤气退火炉等，其中以自备煤气发生炉所产煤气退火炉应用*泛。煤气退火窑减去了燃烧室，直接利用煤气烧嘴在加热室喷射燃烧。为了降低能耗，煤气退火窑往往配有换热系统，将空气转换为助燃热风进行煤气的助燃。

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