快速退火炉介绍

简要描述：快速退火炉介绍是利用卤素红外灯做为热源，通过极快的升温速率，从而消除晶圆或者材料内部的一些缺陷，改善产品性能。

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更新时间：2023-03-27
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快速退火炉由哪些部分组成？

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快速退火炉介绍

是利用卤素红外灯做为热源，通过极快的升温速率，将晶圆或者材料快速的加热到300℃-1200℃，从而消除晶圆或者材料内部的一些缺陷，改善产品性能。

采用先进的微电脑控制系统，采用PID闭环控制温度，可以达到*的控温精度和温度均匀性，并且可配置真空腔体，也可根据用户工艺需求配置多路气体。

使用注意事项：

1.炉子使用或长时间不用后，要在120 ℃左右烘烤1 h，在300 ℃左右烘烤2 h后使用，以免造成炉膛开裂。炉温尽量不要超过额定温度，以免损坏加热元件及炉衬。禁止向炉膛内直接灌注各种液体及溶解金属，保持炉内的清洁。

2.冷炉使用时，由于炉膛是冷的，须大量吸热，所以低温段升温速率不易过快，各温度段的升温速率差别不易太大，设置升温速率时应充分考虑所烧结材料的物理化学性质，以免出现喷料现象，污染炉管。

3.炉子使用过一段时间后，若真空度降低，可分别更换不锈钢法兰盘之间的耐温硅胶圈或重新安装不锈钢法兰盘或更换修理真空系统，以提高系统的整体真空度。

4.炉子在工作过程中，一般在300 ℃左右若控制偏差还不能消除，出现温度显示值与程序给定值不符或摆动过大，检查参数“M5、P、t"设置是否准确。

快速退火炉介绍

是在半导体器件制造中使用的一种工艺，其包括加热多个半导体晶片以影响其电性能。热处理是针对不同的效果而设计的。可以加热晶片以激活掺杂剂，将薄膜转换成薄膜或将薄膜转换成晶片衬底界面，使致密沉积的薄膜，改变生长的薄膜的状态，修复注入的损伤，移动掺杂剂或将掺杂剂从一个薄膜转移到另一个薄膜或从薄膜进入晶圆衬底。

退火炉可以集成到其他炉子处理步骤中，例如氧化，或者可以自己处理。退火炉是由专门为加热半导体晶片而设计的设备完成的。退火炉是节能型周期式作业炉，超节能结构，采用纤维结构，节电60%。

退火炉按热源分类主要有电热炉、燃煤退火炉、燃油退火炉、天然气退火炉、煤气退火炉等，其中以自备煤气发生炉所产煤气退火炉应用*泛。煤气退火窑减去了燃烧室，直接利用煤气烧嘴在加热室喷射燃烧。为了降低能耗，煤气退火窑往往配有换热系统，将空气转换为助燃热风进行煤气的助燃。

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